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期刊论文
DRAM异常情况的处理方法
DRAM异常情况的处理方法
来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:CPhoenixEx
【摘 要】
:
分析 DRAM 可能出现的异常情况,以及可能产生的后果,并阐述了处理异常情况的几种方法.一是通过监测外部非法命令,二是通过监测内部电压、内部温度超标情况,三是通过监测内部
【作 者】
:
余作明
杨斌
范艳艳
【机 构】
:
西安紫光国芯半导体有限公司
【出 处】
:
集成电路应用
【发表日期】
:
2018年8期
【关键词】
:
动态随机访问存储器
异常情况
非法命令
存储刷新
DRAM
exception
illegal command
refresh
【基金项目】
:
国家科技重大专项“核高基”国家高技术发展计划课题项目.
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分析 DRAM 可能出现的异常情况,以及可能产生的后果,并阐述了处理异常情况的几种方法.一是通过监测外部非法命令,二是通过监测内部电压、内部温度超标情况,三是通过监测内部刷新命令,四是通过发送特殊的强制退出异常情况的命令.
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