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基于SRAM的FPGA的互连时延模型
基于SRAM的FPGA的互连时延模型
来源 :电路与系统学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sfsafd
【摘 要】
:
本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效
【作 者】
:
王怡
韩若楠
王伶俐
唐璞山
童家榕
【机 构】
:
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【出 处】
:
电路与系统学报
【发表日期】
:
2008年3期
【关键词】
:
MOS管
等效电容
MOS—C电路
MOS transistor
effective capacitance
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本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效电容的计算方法。结果表明,本文提出的时延模型快速并且足够精确。
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