【摘 要】
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采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS
【机 构】
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北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司,北京有色金属研究总院有研新材料股份有限公司
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采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10^-5和2.85×10^-5,均方根值分别为6.46×10^-6和4.98×10^-6,正常区域的样品光学均匀性为9.53×10^
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