【摘 要】
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基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管（LED）集成封装器件COB（Chip On Board）能效的影响。计算结果表明：在芯片间距小于200μm
【机 构】
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清华大学电子工程系清华信息科学技术国家实验室（筹）,清华大学深圳研究生院半导体照明实验室
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基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管（LED）集成封装器件COB（Chip On Board）能效的影响。计算结果表明：在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片C
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