BaTiO3、SrTiO3陶瓷半导化机理的研究

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探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb2O5添加量对 BaTiO3、SrTiO3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1~0.7mol%的 Nb2O5时,SrTiO3陶瓷的电导率随 Nb2O5添加量的增加而增大,而 BaTiO3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb2O5添加量>0.15mol%的 BaTiO3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO3和 SrTiO3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb2O5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb2O5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。
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