【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压（10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa）和生长衬底温度（250-600℃）下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光（PL）光谱表明,氧压和衬底温度对Z
【机 构】
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曲阜师范大学物理工程学院,鲁东大学,海军航空工程学院
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采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压（10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa）和生长衬底温度（250-600℃）下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光（PL）光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外（UV）发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级
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