【摘 要】
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利用自主的分子束外延（MBE）技术在CdZnTe（111）基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海技术物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（10974174 91021020）, 国家重大基础研究计划（2011CB925603）, 浙江省自然科学基金（Z6100117）
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利用自主的分子束外延（MBE）技术在CdZnTe（111）基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.
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