【摘 要】
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利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌，定性讨论了刻蚀用氩离子束的能量及光致抗蚀剂掩模图形的厚度变化
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利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌，定性讨论了刻蚀用氩离子束的能量及光致抗蚀剂掩模图形的厚度变化时所制成的面阵器件的形貌变化特点．
Surface area silicon field emission devices were fabricated by photolithography and argon ion beam etching. The surface microstructures of the samples were analyzed by scanning electron microscopy (SEM) and surface probes. The energy and light of argon ion beam for etching The change of the topography of the area array device made when the thickness of the resist mask pattern is changed.
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