【摘 要】
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采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI（Silicon on Insulator）脊型波导内部残留热应力引起的双折射．对于硅基二氧化硅波导，应力双折射系数的数量级为10^-4，对于上包层为空气
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采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI（Silicon on Insulator）脊型波导内部残留热应力引起的双折射．对于硅基二氧化硅波导，应力双折射系数的数量级为10^-4，对于上包层为空气的SOI脊型波导，该系数的数量级为10^-5，对于上包层为SiO2的SOI脊型波导，该系数的数量级为10^-3，可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射，而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小．
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