【摘 要】
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选取厚度为5、10和20nm的TiO2薄膜为过渡层，采用sol-gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Bi3．54Nd0．46Ti3O12（BNT）铁电薄膜，研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响。结果
【机 构】
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江苏科技大学数理学院,苏州大学物理科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.10204016）
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选取厚度为5、10和20nm的TiO2薄膜为过渡层，采用sol-gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Bi3．54Nd0．46Ti3O12（BNT）铁电薄膜，研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响。结果表明，加入TiO2过渡层后，BNT薄膜微观结构得到改善，εr及2Pr值大幅提高，介电损耗及漏电流密度都有降低。过渡层厚度为20nm时，BNT薄膜的εr、tanδ及2Pr值分别为325、0．025（测试频率为10kHz）和36．1×10^-6C／cm^2，漏电流密度为8．45&
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