【摘 要】
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InP基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H2O2混合液作为InP基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较
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InP基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H2O2混合液作为InP基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片InGaAs和单片InAlAs材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对InP基HEMT器件外延材料进行光刻,对光刻后图形进行20s,40s,60s的腐蚀。同时采用光学显微镜观察腐蚀图形,利用电流监控法确定腐蚀形成HEMT器件的栅槽腐蚀时间,并通过原子力显微镜(AFM)进行表面平整度观察,最终得到60s的腐蚀时间的特性较好,进而确定为栅槽形成的最优腐蚀时间是60s。
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