【摘 要】
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为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构的性能较好,其样品表面形貌较佳,Ga
【基金项目】
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国家自然科学基金（61764001）； 广西科技厅基地与人才专项（AD18281084）； 广西高校引进海外高层次人才“百人计划”（C66RXC040001）； 广西精密导航技术与应用重点实验室基金（DH201808）； 广东省重点领域研发计划（2
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为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构的性能较好,其样品表面形貌较佳,GaN外延层的原位监测反射率曲线的振幅更均匀;HRXRD测试结果表明,其（002）面和（102）面的半高宽较小,分别为8178、214rad·s-1,位错密度处于较低水平(螺型位错密度为6.24×10~7cm-2,刃型位错密度为4.1×10~8cm-2)。为进一步改善Al(0.30Ga(0.70N/GaN异质结构性能,研究了AlN插入层的影响,结果表明:带有AlN插入层的Al0.30Ga0.70N/AlN/GaN异质结构的2DEG面密度增加明显且处于较高水平,为3.014×1013cm-2,带有AlN插入层的Al0.30Ga0.70N/AlN/GaN异质结构的平均方块电阻值为277.0Ω,明显低于无AlN插入层的Al0.30Ga(0.70N/GaN的平均方块电阻值331.9Ω。以上结果表明,优化成核层温度和引入插入层能提高Al0.30Ga(0.70N/GaN异质结构性能。
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