【摘 要】
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散热片与器件间的电容耦合是电路产生共模辐射的主要原因之一,其对研究电路的辐射发射特别重要.然而长期以来人们将该电容简化为平板电容,采用静电场推导的电容公式计算.但在
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散热片与器件间的电容耦合是电路产生共模辐射的主要原因之一,其对研究电路的辐射发射特别重要.然而长期以来人们将该电容简化为平板电容,采用静电场推导的电容公式计算.但在高频端,散热片和器件的尺寸与波长相比拟,分布参数影响了该耦合电容的数值.所以本文提出了采用FDTD法计算散热片与器件间的高频耦合电容的构想.数值计算的结果表明:该电容已经不能看作是一简单常数,而是随频率变化的量.频率较低时,耦合电容随频率升高快速减小.且耦合电容具有频率选择性.激励源位于散热片的中心耦合电容小;绝缘层厚度越薄,相对介电常数越大得
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