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采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs2晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征.结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs2多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比.经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs2晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm-1,经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV.通过变温(110～300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs2晶体在110～300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度pH和霍尔系数RH随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μH几乎不变.拟合计算出晶体中受主电离能EA=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷.