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美国加州创业公司Crossbar，Inc．宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术CrossbarResistiveRAM（电阻式记忆体RRAM），号称可在200平方毫米大小（基本上就相当于个拇指盖）的芯片里存储最多ITB数据。
Crossbar单芯片1TB RRAM挑战闪存
【摘 要】
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美国加州创业公司Crossbar，Inc．宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术CrossbarResistiveRAM（电阻式记忆体RRAM），号称可在200平方毫米大小（基本上就相当于个拇指盖）的
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2013年12期
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