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利用纤维涂层法(FMC)、结合热压工艺制备了SiC纤维增强Ti55基复合材料(SiCf/Ti55)。主要研究复合材料在经不同条件真空热暴露处理后,其反应产物相形成的反应序列以及界面反应动力学。结果表明,仅C、Si和Ti等元素参与了界面反应。在1000℃热暴露时,SiCf/Ti55复合材料界面反应产物序列为SiC |Ti3SiC2| Ti5Si3+TiC|TiC|Ti55。但是,在低温热暴露的复合材料中不存在Ti3SiC2相。SiCf/CTi55复合材料界面反应产物的生长受扩散控制且遵循抛物线生长规律,其生