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采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2（B=Al，Cr，La）多晶陶瓷的制备，并采用脉冲激光沉积法（Pulsed laser deposition，PLD）制备了CuCrO2薄膜。结果表明：溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短；所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈P型半导体导电行为，CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小；PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向，厚度-200n