边导模器件——对日技术座谈资料之一

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应中国电子学会邀请,日本东京工业大学副教授内藤喜之和日本青山学院教授太田惠造分别于一九七六年三月和四月到我国进行技术交流和考察访问。在这期间,四机部对外司分别组织了有关单位代表,与日本外宾进行了技术座谈。内藤喜之一九五九年三月毕业于东京工业大学理工学部电气工学,六一年四月获博士学位,一九六七年十一月任副教授。他的主要研究成果是阐明了磁性料料作为电波吸收体的基本规律,并提出了铁氧体做电波吸收体、电波匹配体、高频用变压器设计方法,对铁氧体磁导率频散公式提出了修正的近似表达式,一九七○年开始进行边导模隔离器环行器的研究,他提出的侧壁接地高隔离度的边导模器件别具一格,在理论与实践上受到同行的重视,七五年内藤开始着手研究磁光器件。太田惠造一九五一年毕业于北海道大学理学部物理学科,五一年四月至五八年八月在东北金属工业公司从事铁氧体磁性材料的研究,五六年九月至六五年三月在小林理学研究所任研究员,从事铁氧体磁性材料和磁测量的研究,六五年四月至现在,在青山学院理学工学部电子工学科任副教授、教授、主任等职,从事铁氧体磁性材料和磁测量研究及教学工作。本刊将这两次对日技术座谈的资料选译一部分发表,内容包括如下七个题目:(一)边导模器件;(二)磁光学;(三)微波铁氧体材料和器件的进展;(四)铁氧体吸收材料及其应用;(五)光磁效应;(六)日本铁氧体的研究和生产;(七)软磁铁氧体的磁导率及其稳定性。前四篇是与内藤喜之座谈的内容,后三篇是与太田惠造座谈的内容。有的文章是日本外宾讲课的记录稿,其中的一些观点也是他们提出的。
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