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对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索，确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度，蚀刻出符合要求的管坑阵列，为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。
电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究
【摘 要】
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对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索，确定在室温下制备大孔阵列的
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
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原子核物理评论
【发表日期】
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2008年3期
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