同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户:buyaowenwo123456
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介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果.结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns~1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1~1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856~9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度
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