【摘 要】
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利用镜像电荷模型 ,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算 ,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为 β0 =h ρ+3 5 .若考虑极板间距对场增强因子的影响 ,则场
【机 构】
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利用镜像电荷模型 ,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算 ,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为 β0 =h ρ+3 5 .若考虑极板间距对场增强因子的影响 ,则场增强因子的表达式调整为 β =hρ +3 5+A hd3,其中h ,ρ分别为纳米导线的长度和半径 ,d为极板间距 ,A为常数 .结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著 ,而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响 ,随极板距离的增加而减小 .
Using the image charge model, the potential and electric field at the tip of a single nanowire in the electrostatic field are calculated to obtain the tip field enhancement factor of the nanowire emitter β0 = h ρ + 35. If the field enhancement factor , Then the expression of field enhancement factor is adjusted to β = hρ +3 5 + A hd3, where h and ρ are the length and radius of the nanowires respectively, d is the distance between the plates and A is a constant. The results show that the nanowires The length-diameter ratio has the most significant effect on the field enhancement factor, while the distance between the plates has only a slight influence on the field enhancement factor of the nano-wires, decreasing as the distance between the plates increases.
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