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研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响，结果表明，在有栅极（Ti—w）和无栅极情况下，p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏，而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差，使高逸出功的p-Si基底与Mo尖锥形成Mo为阳极、p-Si为阴极而导致Mo尖锥被腐蚀；低逸出功n-Si基底则避免了这种现象的发生。