【摘 要】
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Si/SiC混并联结构以更低的成本,提供了接近全SiC器件的性能,因此Si/SiC混并联结构逐渐成为新的研究热点。目前,Si/SiC混并联结构研究大多集中于如何减小损耗。然而,在Si/SiC
【机 构】
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湖南大学信息科学与工程学院,湖南大学电气与信息工程学院
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Si/SiC混并联结构以更低的成本,提供了接近全SiC器件的性能,因此Si/SiC混并联结构逐渐成为新的研究热点。目前,Si/SiC混并联结构研究大多集中于如何减小损耗。然而,在Si/SiC混并联结构损耗优化过程中,作为辅助器件的小电流SiC MOSFET可能出现温度过高甚至超过最高结温限制的问题。为此,提出了一种适用于Si/SiC混并联结构的主动温度控制方法,以减小混并联结构由于内部两器件结温差异大带来的器件过温风险,提升器件运行的可靠性。
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