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IR全新30V DirectFET 同步MOSFET-IRF6612 30V—提供低导通电阻和低封装电感,满足中央处理器电源需求
IR全新30V DirectFET 同步MOSFET-IRF6612 30V—提供低导通电阻和低封装电感,满足中央处理器电源需求
来源 :电子与电脑 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanlv512
【摘 要】
:
功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装。IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOh
【出 处】
:
电子与电脑
【发表日期】
:
2004年5期
【关键词】
:
国际整流器公司
功率半导体
IRF6612
30V
同步MOSFET
DirectFET封装
低导通电阻
低封装电感
中央处理器电源
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功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装。IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体
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