【摘 要】
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在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷.研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
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在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷.研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚层外延衬底的倒角去除量不应低于0.6 mm.增大倒角面幅可以增大外延生长的边缘厚度过渡区,有助于消除“外延冠”,减小晶片边缘向中心的应力.当面幅宽度达到500 μm后,厚层外延滑移线的比例可降低至0.5％以下.另外,衬底片经过碱腐蚀后粗糙度明显增大,表面抛光后仍没有改善,这说明边缘抛光是提高晶片质量的一个必要步骤.
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