Preparation of Nanosize CdS／PANI Film and Its Photoelectric Properties

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhaominjie88

【摘要】

：

Nanosize CdS semiconductor particles were synthesized using the solvothermal technique. The structure was characterized by means of XRD,TEM and ED techniques. P

【作者】

：

ZHONGHuai-zhen HEXiao-yun LIGu

【机构】

：

CollegeofChem.andMater.Sci.

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

纳米薄膜 CDS PANI 半导体材料 XRD TEM Nanosize PolyanilineComposite filmSemiconductor

【基金项目】

：

Key Technology Project Foundations of S & T Department，福建省教育厅科研项目

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Nanosize CdS semiconductor particles were synthesized using the solvothermal technique. The structure was characterized by means of XRD,TEM and ED techniques. PANI film was prepared by electro-chemistry method onto the indium-tin oxide glass. The nanopart

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