ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究

来源 :山东农业大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:wan801130
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本文采用较低温度、无催化剂条件下的化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)在透明导电玻璃上制备ZnO纳米线阵列,分析讨论反应温度、保温时间对产物形貌的影响,并将其分别制成染料敏化太阳电池(Dye-sensitized solar cell,DSC)光阳极,探究DSC光电性能的变化情况。结果表明:沉积温度为500℃时,在透明导电玻璃上得到均匀、致密、长径比大的ZnO纳米线阵列。此外,大长径比的ZnO纳米线阵列作为光阳极组装的DSC具有较好的光电性能,主要原因是大长径比的ZnO纳米线有利于染料分子的负载,提高入射光的利用率,另外,ZnO纳米线作为一维纳米材料有利于电子空穴的分离、传输,综合表现出较高的光电转化效率。同时,进一步探讨敏化过程对DSC光电性能的影响。研究发现,随着敏化时间的延长,DSC光电转化效率反而降低,可见,合理的敏化时间对保证电极稳定性、获得较好电池光电性能至关重要。
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