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文中利用蒙特卡洛方法，引入成核生长模型，研究了纳米硅晶粒成核生长过程。结合宏观阻力模型，计算了纳米硅成核和生长所对应的过饱和度范围。结果显示，衬底的二次溅射，造成成核次数增多，生成小尺寸纳米晶粒的数量增加；晶粒成核过程和生长过程所需要的过饱和度范围不同，过饱和度较大（〉2600）时成核次数多生长次数少；而过饱和度在250～2600时生长次数多成核次数少。