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本文介绍了用热蒸发技术制备ＣｓＣｕ２Ｉ３薄膜的方法，根据ＣｓＣｕ２Ｉ３的低温吸收谱计算出其激子参数；谱分析表明，ＣｓＣｕ２Ｉ３的电子和激子激发定域在ＣｕＩ４＾２－组成的双链结构之中是导致其光谱复杂性的主要原因。
CsCu2I3薄膜的制备及其吸收谱的研究
【摘 要】
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本文介绍了用热蒸发技术制备ＣｓＣｕ２Ｉ３薄膜的方法，根据ＣｓＣｕ２Ｉ３的低温吸收谱计算出其激子参数；谱分析表明，ＣｓＣｕ２Ｉ３的电子和激子激发定域在ＣｕＩ４＾２－组成的双链结构之中是导致其光谱复杂性的主要原因。
【机 构】
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清华大学现代应用物理系
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家教委回国人员科研资助费,清华大学实验室开放基金
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