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本文采用共蒸发三步法沉积Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光光谱仪（XRF）及扫描电镜（SEM）结合的方法总结出三步法工艺的相变过程。