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以溶液硅源和表面硅源两种合成路线在SiO2颗粒表面进行了MCM-41的原位合成,结果发现以两种方式均可得到MCM-41的有序结构.溶液硅源原位合成MCM-41的长程结构较好,两种硅源原位合成的MCM-41均能够在脱除模板剂过程中保持其长程有序结构.表面硅源原位合成MCM-41的孔径分布较窄,最可几孔径为3.81nm.本文还考察了OH/CTABr及SiO2/OH比对表面硅源原位合成MCM-41长程结构特征的影响.