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用透射电镜（ＴＥＭ），扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力，研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂，二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中产生的层错和位错会继续起着吸杂作用。
多晶硅吸杂效能的研究
【摘 要】
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用透射电镜（ＴＥＭ），扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力，研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂，二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中
【机 构】
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复旦大学材料科学研究所,上海硅材料厂
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1995年3期
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