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利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比，选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型是Model-solid模型。讨论了引入应变、量子阱材料组分、势垒材料组分和禁带宽度对能带偏置的影响。结果表明，压应变的引入会增大禁带宽度，减小能带偏置；随着势阱材料组分和势垒材料组分的增加，能带偏置会逐渐增大，但能带偏置比并非一直随势垒材料组分的增加而增大；InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs量子阱的Al含量y约为0.1是较佳值，In含量x小于0.2是较佳值。