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研制了A10.24Ga0.76As／In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT)，并对其特性进行了比较．由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计，DH-PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中，得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布，这些都有利于提高器件的性能．因此，DH-PHEMT器件具有更好的线性度，在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力．这说明DH—PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件．