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在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中,采用电化学方法制备出α-铁纳米线阵列复合膜.用透射Mossbauer谱(MS)、内转换电子Mossbauer谱(CEMS)和微磁学模拟对直径为60nm的α-铁纳米线阵列进行了内部和端面磁矩分布的研究.透射 Mossbauer谱的结果表明,α-铁纳米线阵列内部磁矩很好地平行于纳米线长轴方向,而内转换电子Mossbauer谱观察表明,位于纳米线阵列端面,磁矩偏离纳米线的长轴方向分布,由二、五峰的强度计算出平均偏角为24.0°.另外,用微磁学模拟方法对不同深度的磁矩分布做