论文部分内容阅读
用慢正电子束测量了三种不同生长工艺的MBE GaAs薄膜。结果表明,正电子束发射产额参数F_L能反映薄膜的缺陷状况,结晶完整性差的薄膜其F_L值也较低。同时还发现,掺Si的n型GaAs在约600℃显著分解,该温度明显低于本征GaAs梓品开始分解的温度。
采用慢电子束测量MBE生长的GaAs薄膜表面缺陷...
【摘 要】
：
用慢正电子束测量了三种不同生长工艺的MBE GaAs薄膜。结果表明,正电子束发射产额参数F_L能反映薄膜的缺陷状况,结晶完整性差的薄膜其F_L值也较低。同时还发现,掺Si的n型GaAs
【机 构】
：
清华大学现代应用物理系,中国科学院半导体所,中国科学院半导体所北京100084,北京100083
【出 处】
：
半导体情报
【发表日期】
：
1991年6期
其他文献
由中国地质学会探矿工程专业委员会召开的’93全国岩土钻掘工程设奋与工艺学术会议于1993年10月13日至18日在上海举行。与会的140多位代表来自全国从事岩土钻掘工程的十多个
缺血半暗带是缺血性卒中的治疗目标,故而研究出一种早期精确判定脑组织活性的显像方法极为重要.PET神经受体显像,尤其是11C-flumazenil受体显像不仅可早期鉴别神经元的功能性
王云五（1888-1979），原名云之瑞，号岫庐，广东香山人，出版家。1930年至1946年任商务印书馆总经理，其间发明四角号码检字法，开办东方图书馆，主持出版《万有文库》《大学丛书》和《丛书集
<正> 外经贸部部长石广生在2002年中国发展高层论坛上指出,作为世贸组织成员,中国将根据本国国情和世贸组织规则,进一步完善外经贸管理体制。他说,中国将逐步放开进出口经营
EPR(电子顺磁共振)剂量测定方法是回顾性测定个人辐射剂量的主要方法,它能够准确估算出很久以前发生的辐射照射事件的吸收剂量值,其理论基础是:在牙釉质中,辐射所致自由基水
目的：观察阿司匹林与丹参治疗短暂性脑缺血发作（TIA）的疗效。方法：90例TIA患者随机分为观察组和对照组,观察组45例使用阿司匹林100mg,每日1次,30d为一疗程;对照组45例使用丹参片
中间包计划是重要的炼钢一连铸批量计划之一，其功能是在给定的炉次计划中，根据炼钢一连铸生产能力及下游工序生产所需材料的数量，挑选出待生产的炉次并制定出合理的中间包使用数
随着科学技术的进步以及交通运输的需求,许多大跨度桥梁应运而生,综观大跨径桥梁的发展趋势,可以看到世界桥梁建设必将迎来更大规模的建设高潮。近年来我国特别是沿海地区交
分析了我国目前金刚石制品中胎体金属粉末的性能特征，应用条件。指了单元素金属粉末混合料的缺点，提出采用胎体金属粉末的预合金粉末的优点、工艺方法和应用前景。