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根据光的吸收机理，分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点，探讨了脉冲激光单粒子效应的Monte Carlo计算模拟途径，在只考虑光电效应的简化下，得到存储器硅片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临床电荷的计算关系式，进而给出该硅片的翻转截面的计算公式，在给定了存储器硅片的临界电荷的情况下，对入射脉冲激光能量阈值和单粒子翻转截面进行了计算。