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测量了Bi4Ti3O12（BTO）陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰（P1峰）是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响.
Bi4Ti3O12陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究
【摘 要】
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测量了Bi4Ti3O12（BTO）陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰（P1峰）是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该
【机 构】
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南京大学固体微结构物理重点实验室;南京大学固体微结构物理重点实验室江苏南京210093;江苏南京210093;江苏南京210093;
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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2002年06期
【基金项目】
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国家自然科学基金(19904005;90207027)
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