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在ELO GaN基层上用激光进行条状化处理 ,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度。其结果是可使激光二极管的寿命 ,在 5 0℃ ,30mW输出的连续工作条件下超过 1 0 0 0小时。
在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器(英文)
【摘 要】
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在ELO GaN基层上用激光进行条状化处理 ,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度。其结果是可使激光二极管的寿命 ,在 5 0℃ ,30mW输出的连续工作条件下超
【机 构】
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DevelopmentCenter,DevelopmentCenterSonyShiroishiSemiconductorInc.3532Shiratori,Shiroishishi,Miyagike
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年S1期
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