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GaN紫外探测器具有可见光盲、量子效率高、可在室温下工作、耐高温性和耐化学腐蚀性好、抗辐照能力强等优点，在宇宙飞船、火灾监测、紫外通信等领域有重要的应用价值。本探测器在材料生长方面，生长出高质量的本征GaN材料、N型和P型GaN材料以及AlGaN材料，在器件结构设计方面，采取模拟计算与实验相结合，对探测器器件结构参数进行了优化设计，并提出几种改进器件性能的新型器件结构。