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采用Sol—Gel工艺在玻璃基片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al^3＋离子掺杂的ZnO透明导电薄膜ZnO：Al（ZAO薄膜）．并研究了退火温度、Al掺杂量等对其光电性能的影响．结果表明，溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0．75mol／L、掺杂量1．5atm％，镀膜层数10层（厚度约为136nm）、退火温度600℃．