适用于混合信号IC中的带隙电压基准

来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chly31

【摘要】

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提出了两款基于指数型曲线补偿技术的、采用1.5 μm BiCMOS工艺制造的新型带隙电压基准(BGR).在-45～85℃它们的平均温度系数均约为8.0×10-6/℃;在电源电压5 V情况下工作

【作者】

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【机构】

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上海交通大学大规模集成电路研究所,上海交通大学大规模集成电路研究所上海200030,上海200030

【出处】

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上海交通大学学报

【发表日期】

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2003年z1期

【关键词】

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提出了两款基于指数型曲线补偿技术的、采用1.5 μm BiCMOS工艺制造的新型带隙电压基准(BGR).在-45～85℃它们的平均温度系数均约为8.0×10-6/℃;在电源电压5 V情况下工作时功耗分别为154.2μW和207.5 μW.低功耗、高精度的特性使得它们非常适合集成于混合信号IC中.

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