Si（111）衬底上3C—SiC的超低压低温外延生长

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：milksnake

【摘要】

：

研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的3C-Si

【作者】

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严飞郑有炓陈平孙澜顾书林朱顺明李雪飞韩平

【机构】

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南京大学物理系

【出处】

：

高技术通讯

【发表日期】

：

2002年11期

【关键词】

：

SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长碳化硅异质外延生长低压化学气相淀积半导体材料 Silicon carbide (SiC) Hete

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研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的3C-SiC薄膜材料.采用俄歇能谱(AES)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌.AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比,XRD结果显示了3C-SiC外延薄膜的良好晶体结构, AFM揭示了3C-SiC薄膜的良好的表

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