【摘 要】
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以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370（GE Toshiba Silicones）为连接剂,连接了反应烧结SiC（RB-SiC）陶瓷。连接件在1100～1300℃的99.99%N2气流中进行热处理。用三点弯曲强度实验测定连
【机 构】
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北京航空航天大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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航空科学基金（03H51024）.致谢 太原理工大学许并社教授在连接剂的选取与购买、连接件的制备与测试以及FESEM的使用等方面提供了大量资助与帮助,特此致谢.
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以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370（GE Toshiba Silicones）为连接剂,连接了反应烧结SiC（RB-SiC）陶瓷。连接件在1100～1300℃的99.99%N2气流中进行热处理。用三点弯曲强度实验测定连接件的强度,用场发射扫描电镜、X射线衍射和热重测试分析显微结构和化学反应。在连接温度为1200℃时,连接件的三点弯曲强度达到最大值197MPa。连接层是由有机硅树脂YR3370裂解生成的无定形SixOyCz陶瓷,其结构连续均匀致密,厚度在2～5μm之间。连接机理是通过无定形SixOyCz
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