【摘 要】
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采用浸胶法制备了一系列 SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜 AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为 SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数
【机 构】
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哈尔滨理工大学 电气与电子工程学院,哈尔滨,150040哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院,哈尔滨,150040;
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采用浸胶法制备了一系列 SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜 AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为 SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米 SiO2-Al2O3/PI 薄膜.采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试.结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4 h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜 A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3 kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度.
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