【摘 要】
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将F^+注入SIMOX材料,剥去皮表硅并制成电容,经^60Co-γ辐照试验和退火试验,并采用高频C-V方法分析表明,注F^+能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。
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将F^+注入SIMOX材料,剥去皮表硅并制成电容,经^60Co-γ辐照试验和退火试验,并采用高频C-V方法分析表明,注F^+能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。
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