【摘 要】
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提出了一种逆导型(RC) SOI-LIGBT.通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了传统阳极短路RC-LIGBT在正向导通时的电压折
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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提出了一种逆导型(RC) SOI-LIGBT.通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了传统阳极短路RC-LIGBT在正向导通时的电压折回效应.通过二维仿真软件对器件稳态、瞬态的电学特性进行了分析.仿真结果表明,与传统的SOI-LIGBT、续流二极管相比,该RC-LIGBT具有更高的击穿电压,且击穿电压不受阳极掺杂浓度的影响.该器件的反向恢复电荷减小了15.2％,软度因子提高一倍以上.
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