【摘 要】
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In this work, a monolithic oscillator chip is heterogeneously integrated by a film bulk acoustic resonator (FBAR) and a complementary metal-oxide-semiconductor
【机 构】
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State Key Laboratory of Precision Measuring Technology and Instruments, Tianjin University, Tianjin
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In this work, a monolithic oscillator chip is heterogeneously integrated by a film bulk acoustic resonator (FBAR) and a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) chip using FlexMEMS technology. In the 3D-stacked integrated chip, the thin-film FBAR sits directly over the CMOS chip, between which a 4 μm-thick SU-8 layer provides a robust adhesion and acoustic reflection cavity. The proposed system-on-chip (SoC) integration features a simple fabrication process, small size, and excellent performance. The oscillator outputs 2.024 GHz oscillations of ?13.79 dBmand exhibits phase noises of?63,?120, and?136 dBc/Hz at 1 kHz, 100 kHz, and far-from-carrier offset, respectively. FlexMEMS technology guarantees compact and accurate assembly, process compatibility, and high performance, thereby demonstrating its great potential in SoC hetero-integration applications.
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