【摘 要】
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用。随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也提出了更高的要求。作为具有表面MOSFET结构
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用。随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也提出了更高的要求。作为具有表面MOSFET结构的器件,研究人员一直致力于优化其结构参数,以期获得更加优良的特性。本文通过ISE仿真软件,模拟了器件的表面MOS结构,对于器件的转移特性进行了仿真研究。结果表明,要想获得理想的转移特性,必须对表面MOS结构中P阱区的掺杂及栅氧化层的厚度进行优化。
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