【摘 要】
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在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成
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在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n-GaN肖特基接触的性质.在该实验条件下,400℃温度下退火后的Pt/n-GaN肖特基接触,势垒高度最大,理想因子最小.在600℃以上温度退火后,该接触特性受到破坏,SEM显示在该温度下,Pt已经在GaN表面凝聚成球,表面形成孔洞.
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